3月10日 ワイドバンドギャップデバイス技術と今後のアプリケーショントレンドに関するセミナー

SiCデバイスの開発トレンドとキーテクノロジー

ワイドバンドギャップ（WBG）デバイス（第3世代半導体）は、窒化ガリウム（GaN）、シリコンカーバイド（SiC）など、高い電子移動度と電力変換効率、絶縁破壊電圧などの特性を備え、5G基地局や電気自動車、インダストリー4.0、再生可能エネルギーなど、高電圧電源アーキテクチャに対して高い要件のあるアプリケーションへの使用に適しています。ワイドバンドギャップ半導体には、シリコンデバイスと比較してより高い優位性がありますが、半導体プロセス関連技術や応用設計の面で、より高難度になります。Tech Taipeiによる「ワイドバンドギャップデバイス技術と今後のアプリケーショントレンドに関するセミナー」に招かれたPANJITは、「SiCデバイスの開発トレンドとキーテクノロジー」と題して発表を行います。主なテーマは次のとおりです。
1. SiC Target Market & PANJIT Tech Roadmap
2. Develop Trend of SiC Diode
3. Key Technology of SiC Diode
4. PANJIT SiC Diode Roadmap
5. Develop Trend of SiC MOSFET
6. Key Technology of SiC MOSFET
7. PANJIT SiC MOSFET Roadmap
ぜひご参加ください。
場所：台大病院国際コンベンションセンター2階201号室
セミナー開催時間：
09:00～17:30（中国語による講演）